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文档 |
Multiple Devices 14/Mar/2011 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 2,500 |
晶体管类型 | PNP |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 4A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 25V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 300mV @ 100mA, 1A |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 80 @ 1A, 2V |
功率 - 最大 | 1.2W |
频率转换 | 75MHz |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-261-4, TO-261AA |
供应商器件封装 | SOT-223-3 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
集电极最大直流电流 | 4 |
最小直流电流增益 | 70@50mA@2V|80@1A@2V|65@2A@2V |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | SOT-223 |
最低工作温度 | -55 |
最大功率耗散 | 1200 |
最大基地发射极电压 | 5 |
Maximum Transition Frequency | 75(Min) |
封装 | Tape and Reel |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 35 |
供应商封装形式 | SOT-223 |
最大集电极发射极电压 | 25 |
类型 | PNP |
引脚数 | 4 |
铅形状 | Gull-wing |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 4A |
晶体管类型 | PNP |
安装类型 | Surface Mount |
频率 - 转换 | 75MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 300mV @ 100mA, 1A |
标准包装 | 2,500 |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 25V |
供应商设备封装 | SOT-223-3 |
功率 - 最大 | 1.2W |
封装/外壳 | TO-261-4, TO-261AA |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 80 @ 1A, 2V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
集电极电流( DC)(最大值) | 4 A |
集电极 - 基极电压 | 35 V |
集电极 - 发射极电压 | 25 V |
发射极 - 基极电压 | 5 V |
频率(最大) | 75 MHz |
功率耗散 | 1.2 W |
安装 | Surface Mount |
工作温度范围 | -55C to 150C |
包装类型 | SOT-223 |
元件数 | 1 |
直流电流增益(最小值) | 70 |
工作温度分类 | Military |
弧度硬化 | No |
晶体管极性 | NPN |
集电极电流(DC ) | 4 A |
频率 | 75 MHz |
直流电流增益 | 70 |
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