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厂商型号

NZT749 

产品描述

Trans GP BJT PNP 25V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

内部编号

3-NZT749

#1

数量:4980
1+¥2.2344
25+¥2.0804
100+¥2.0033
500+¥1.9262
1000+¥1.8492
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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NZT749产品详细规格

文档 Multiple Devices 14/Mar/2011
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,500
晶体管类型 PNP
- 集电极电流(Ic)(最大) 4A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 25V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 300mV @ 100mA, 1A
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 80 @ 1A, 2V
功率 - 最大 1.2W
频率转换 75MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装 SOT-223-3
包装材料 Tape & Reel (TR)
集电极最大直流电流 4
最小直流电流增益 70@50mA@2V|80@1A@2V|65@2A@2V
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-223
最低工作温度 -55
最大功率耗散 1200
最大基地发射极电压 5
Maximum Transition Frequency 75(Min)
封装 Tape and Reel
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 35
供应商封装形式 SOT-223
最大集电极发射极电压 25
类型 PNP
引脚数 4
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极( Ic)(最大) 4A
晶体管类型 PNP
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 75MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 300mV @ 100mA, 1A
标准包装 2,500
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 25V
供应商设备封装 SOT-223-3
功率 - 最大 1.2W
封装/外壳 TO-261-4, TO-261AA
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 80 @ 1A, 2V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
集电极电流( DC)(最大值) 4 A
集电极 - 基极电压 35 V
集电极 - 发射极电压 25 V
发射极 - 基极电压 5 V
频率(最大) 75 MHz
功率耗散 1.2 W
安装 Surface Mount
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 SOT-223
元件数 1
直流电流增益(最小值) 70
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
晶体管极性 NPN
集电极电流(DC ) 4 A
频率 75 MHz
直流电流增益 70

NZT749系列产品

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